高純氨氣(High Purity Ammonia), NH3,有刺激性惡臭的無色氣體,極易溶于水。高純氨氣是強腐蝕性有毒物質(zhì),對皮膚和眼睛有強烈腐蝕作用,產(chǎn)生嚴重疼痛性灼傷。我國高純氨規(guī)模化生產(chǎn)始于1999年。
高純氨產(chǎn)品技術(shù)指標
項目 | 電子級 |
氨(NH3)純度(體積分數(shù))/10-2 | 99.9995 |
氧(O2)含量(體積分數(shù))/10-6 | 1 |
氮(N2)含量(體積分數(shù))/10-6 | 1 |
一氧化碳(CO)含量(體積分數(shù))/10-6 | 1 |
烴(C1~C3)含量(體積分數(shù))/10-6 | 1 |
水分(H2O)含量(體積分數(shù))/10-6 | 3 |
總雜志含量(體積分數(shù))/10-6 | 5 |
超高純氨氣產(chǎn)品技術(shù)指標 項目 | 電子級 |
氨(NH3)純度(體積分數(shù))/10-2 | 99.99994 |
氧(O2)含量(體積分數(shù))/10-6 | 0.1 |
氫(H2)含量(體積分數(shù))/10-6 | 0.1 |
一氧化碳(CO)含量(體積分數(shù))/10-6 | 0.05 |
二氧化碳(CO2)含量(體積分數(shù))/10-6 | 0.1 |
烴(C1~C3)含量(體積分數(shù))/10-6 | 0.05 |
水分(H2O)含量(體積分數(shù))/10-6 | 0.2 |
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高純氨主要用途?
高純氨(NH3)主要用于制造高質(zhì)量的氮化物。氮化鎵(GaN)和氮化硅(Si3N4)前者是制造發(fā)光二極管的基礎(chǔ),而后者廣泛應(yīng)用于太陽能電池(光伏)、集成電路(IC)和液晶顯示器(LCD)的制造。
高純氨應(yīng)用原理?
【1】Ga(CH3)3+ NH3 → GaN + 4CH4;
這個反應(yīng)是制造發(fā)光二極管(LED)外延芯片的氮化鎵的基 礎(chǔ),反應(yīng)在昂貴的 MOCVD (有機金屬氣相沉積)設(shè)備上完成。
【2】3SiH4 + 4NH3→ Si3N4 + 12H2;
這個反應(yīng)是制造氮化硅(Si3N4 )的基礎(chǔ),由硅烷(SiH4 )和高純氨在較高溫度下,在化學氣相沉積(CVD)設(shè)備中進行反應(yīng),此反應(yīng)也需要相當數(shù)量的高純氨氣。
為什么要使用高純氨?
假如氨的純度不夠高,例如氨中混有一些水(氨極易溶于水,而且我們周圍環(huán)境中到處都是水),會有什么后果呢?
硅烷會先跟水(而不是跟氨)反應(yīng):
SiH4 + 2H2O → SiO2 + 3H2;
實際上,只要氨中水含量達到萬分之一,水基本上就完全代替氨從而和硅烷反應(yīng),反應(yīng)生成的是 SiO2 而不是 Si3N4,這樣就無法滿足電子工業(yè)嚴格要求的工藝條件了,其中的原因在于水比氨更容易與硅烷反應(yīng)結(jié)合,生成的SiO2 也比 Si3N4更穩(wěn)定。要想讓 LED的發(fā)光增強,那就要設(shè)法增多其中的電子和空穴(稱為載流子),這樣就對高純氨的純度提出了非常高的要求,實驗已經(jīng)證明,高純氨中的水會首先反應(yīng)生成穩(wěn)定的 SiO2 ,而SiO2是不能貢獻電子的,這樣也無法獲得 n 型 GaN。會極大地影響到 LED的亮度,原因就在于高純氨中的微量水會大大降低載流子的濃度。
使用不純的高純氨(含水的氨), 在芯片制造中就會生成更穩(wěn)定的氧化物而不是氮化物,從而降低甚至摧毀芯片的性能。
自古以來,人們就知道氨的氣味。18世紀,..化學家約瑟夫·布萊克(蘇格蘭)、彼得·沃爾夫(愛爾蘭)、卡爾·威廉·舍勒(瑞典/德國)和約瑟夫·普里斯特利(英格蘭)發(fā)現(xiàn)空氣中的氮能被碳化鈣固定而生成氰氨化鈣,氰氨化鈣與過熱水蒸汽反應(yīng)制的氨。1785年,法國化學家克勞德·路易斯·貝索萊測定了它的元素組成。?
氮原子有5個價電子,其中有3個未成對,當它與氫原子化合時,每個氮原子可以和3個氫原子通過極性共價鍵結(jié)合成氨分子。
氨氣分子球棍模型
從氨的結(jié)構(gòu)來看,氨分子里的氮原子還有一個孤對電子,可以結(jié)合成質(zhì)子,顯示堿性;可作為Lewis堿,形成配位化合物(如加合物);氨分子上有三個活性氫,可以被取代而發(fā)生取代反應(yīng);氨分子的空間結(jié)構(gòu)是三角錐型,極性分子。